[发明专利]三维存储器阵列的独立NAND的冗余阵列有效
| 申请号： | 201780012982.8 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108701484B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 辉俊胜;S·K·瑞特南;R·C·帕迪拉;K·K·姆奇尔拉;S·帕塔萨拉蒂;P·费利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/04;G11C29/00;H01L27/11514 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种三维存储器阵列的独立NAND的冗余阵列。若干实施例包含三维存储器胞元阵列，其中所述阵列包含多个存储器胞元页，所述多个页的若干页包含独立NAND的冗余阵列RAIN条带的奇偶校验部分，且每一相应页中的所述RAIN条带的所述奇偶校验部分仅包括那个相应页的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 阵列 独立 nand 冗余 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其包括：三维存储器胞元阵列，其中：所述阵列包含多个存储器胞元页；所述多个页的若干页包含独立NAND的冗余阵列RAIN条带的奇偶校验部分；且每一相应页中的所述RAIN条带的所述奇偶校验部分仅包括那个相应页的部分。
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