[发明专利]具有掉电保护的输出驱动有效

专利信息
申请号: 201780013156.5 申请日: 2017-03-01
公开(公告)号: CN109075215B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: X·吴;R·克勒斯;S·普拉萨德 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H01L29/94 分类号: H01L29/94;H01L29/772;H01L21/8224;H02H7/09
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵志刚;赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在所描述的示例中,接口器件(300)包括沿着p掺杂衬底(204)的水平表面的NPN结构(Q1)。NPN结构(300)具有耦合到输出端子(106)的第一n掺杂区(242)、围绕第一n掺杂区(242)并且耦合到输出端子(107)的p掺杂区(232、243、245)以及通过p掺杂区(243)与第一n掺杂区(242)分离的第二n掺杂区(244)。接口器件(300)还包括沿p掺杂衬底(204)的垂直深度的PNP结构(230)。PNP结构(230)包括p掺杂区(243)、在p掺杂区(243)下方的n掺杂层(234)以及p掺杂衬底(204)。有利地,接口器件(300)可以承受高电压摆动(正的和负的两者),防止灌和拉大的负载电流,以及避免在掉电操作期间进入低电阻模式。
搜索关键词: 具有 掉电 保护 输出 驱动
【主权项】:
1.一种器件,其包含:p掺杂衬底,其具有水平表面和垂直于所述水平表面延伸的垂直深度;输出端子;NPN结构,其沿所述水平表面,所述NPN结构包括:第一n掺杂区,其耦合到所述输出端子;p掺杂区,其围绕所述第一n掺杂区并且耦合到所述输出端子;以及第二n掺杂区,其通过所述p掺杂区与所述第一n掺杂区分离;以及PNP结构,其沿所述垂直深度,所述PNP结构包括所述p掺杂区、在所述p掺杂区下方的n掺杂层以及所述p掺杂衬底。
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