[发明专利]放射性同位素制造用支撑基板、放射性同位素制造用靶板、以及支撑基板的制造方法有效
| 申请号： | 201780013388.0 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108780672B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 村上睦明;多多见笃;立花正满 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化 |
| 主分类号： | G21K5/08 | 分类号： | G21K5/08;C01B32/205;C01B32/21;G21G1/10;G21G4/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实现一种在放射性同位素制造上所用的具备充分的耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的放射性同位素制造用靶板。放射性同位素制造用靶板(10)中，对靶(1)进行支撑的支撑基板(2)具有石墨膜，石墨膜在膜面方向上的热导率为1200W/(m·K)以上，石墨膜的厚度为0.05μm以上且100μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 放射性同位素 制造 支撑 用靶板 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种支撑基板，是对被照射荷电粒子束的靶进行支撑的放射性同位素制造用支撑基板，其特征在于：具有1个或多个石墨膜，该石墨膜以其膜面与荷电粒子束相交的方式配置；各石墨膜在膜面方向上的热导率为1200W/(m·K)以上；各石墨膜的厚度为0.05μm以上且100μm以下。
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