[发明专利]保护膜形成用片、保护膜形成用片的制造方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780013457.8 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108701641B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 山本大辅;米山裕之;小桥力也 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/301;H01L21/60;C09J7/20;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的保护膜形成用片在支撑片上具备保护膜形成层、且在该保护膜形成层上具备剥离膜而成，该支撑片的与具备该保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，基于JIS K7125标准测得的该支撑片的上述表面和该剥离膜的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为29N以下。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种保护膜形成用片，其在支撑片上具备保护膜形成层、且在所述保护膜形成层上具备剥离膜而成，所述支撑片的与具备所述保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，基于JIS K7125标准测得的所述支撑片的所述表面和所述剥离膜的与具备所述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为29N以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
