[发明专利]RC-IGBT及其制造方法有效
| 申请号： | 201780013782.4 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN108780809B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供具有晶体管部和二极管部的RC‑IGBT。所述RC‑IGBT具有晶体管部；二极管部；还具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板的上表面侧；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的源区，其设置于基区的上方；以及2个以上的沟槽部，其以从源区的上端侧贯穿源区和基区的方式设置，二极管部具备：源区；接触沟槽，其在2个以上的沟槽部中的相邻的2个沟槽部之间设置于半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于接触沟槽的下方，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | rc igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种RC‑IGBT，其特征在于，具有晶体管部和二极管部，所述RC‑IGBT具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于所述半导体基板的上表面侧；第二导电型的基区，其设置于所述漂移区的上方；第一导电型的源区，其设置于所述基区的上方；以及2个以上的沟槽部，其以从所述源区的上端侧贯穿所述源区和所述基区的方式设置，所述二极管部具备：所述源区；接触沟槽，其在所述2个以上的沟槽部中的相邻的2个沟槽部之间设置于所述半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于所述接触沟槽的下方，且浓度比所述基区的浓度高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780013782.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：用于P-N双模态功率器件的集成高侧驱动器
- 同类专利
- 专利分类
