[发明专利]用于在薄绝缘体上碳化硅(SiCOI)晶片上形成微带传输线的方法和结构有效
| 申请号： | 201780013798.5 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108701648B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | J·R·拉罗什;K·P·叶;T·E·卡齐奥 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/683;H01P3/08;H01P11/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李隆涛 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种提供半导体结构的方法，包括：提供结构，所述结构具有：所述结构具有：包括硅的层；结合结构；以及硅层，所述结合结构在所述包括硅的层与所述硅层之间设置，所述硅层比所述包括硅的层厚；以及，III‑V族层在所述包括硅的层的上表面上设置；在所述III‑V层中形成III‑V族器件并且带导体连接至所述器件；去除硅层以及所述结合结构，以暴露所述包括硅的层的底表面；以及在所述包括硅的层的暴露的底表面上形成接地面导体，以与所述带导体和所述接地面导体一起提供微带传输线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘体 碳化硅 sicoi 晶片 形成 微带 传输线 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：(A)提供结构，所述结构具有：包括硅的层；结合结构；以及硅层，所述结合结构在所述包括硅的层与所述硅层之间设置，所述硅层比所述包括硅的层更厚；以及，III‑V族层在所述包括硅的层的上表面上设置；(B)在所述III‑V层中形成III‑V族器件并且带导体连接至所述器件；(C)去除硅层以及所述结合结构，以暴露包括硅的层的底表面；以及(D)在所述包括硅的层的暴露的底表面上形成接地面导体，以与所述带导体和所述接地面导体一起提供微带传输线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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