[发明专利]用于形成电阻式随机存取存储器(RRAM)单元细丝的多阶电压在审
| 申请号： | 201780014845.8 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN108886094A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | F.周;X.刘;H.V.陈;H.Q.阮;N.杜;M.雷滕;Z.陈;X.王;G-Q.罗 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司;新加坡科技研究局 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/00;G11C11/02;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器设备和方法，所述存储器设备包括：金属氧化物材料，所述金属氧化物材料被设置在第一导电电极和第二导电电极之间并与它们电接触，以及电压源，所述电压源被配置成跨所述第一电极和所述第二电极施加在时间上间隔开的多个电压脉冲。对于所述电压脉冲中的每一个，所述电压的振幅在所述电压脉冲期间增大。 | ||
| 搜索关键词： | 电压脉冲 金属氧化物材料 存储器设备 导电电极 电压源 电阻式随机存取存储器 第二电极 第一电极 多阶电压 电接触 细丝 施加 配置 | ||
【主权项】：
1.一种在设置在第一导电电极和第二导电电极之间并与它们电接触的金属氧化物材料中形成导电细丝的方法，所述方法包括：跨所述第一电极和所述第二电极施加在时间上间隔开的多个电压脉冲；其中对于所述电压脉冲中的每一个，所述电压的振幅在所述电压脉冲期间增大。
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