[发明专利]等离子体蚀刻方法

摘要

本发明涉及等离子体蚀刻方法，其包含将包含能够由组成式C₃H₂BrF₃表示的化合物的气体的处理气体供给到处理容器内、将处理容器内设为对能够由组成式C₃H₂BrF₃表示的化合物的气体进行发射光谱分析而得到的CF₂/F比的值成为0.33以上的条件、对被处理体上的硅氮化物膜进行等离子体蚀刻的第1蚀刻工序，上述能够由组成式C₃H₂BrF₃表示的化合物的气体为2‑溴‑3,3,3‑三氟丙烯气体、1‑溴‑3,3,3‑三氟丙烯气体、(E)‑1‑溴‑3,3,3‑三氟丙烯气体和/或3‑溴‑2,3,3‑三氟丙烯气体。

主权项

1.一种等离子体蚀刻方法，能够等离子体蚀刻具有硅氮化物膜的被处理体，包含以下工序：准备工序，将所述被处理体载置在处理容器内，以及第1蚀刻工序，将包含能够由组成式C3H2BrF3表示的化合物的气体的处理气体供给到所述处理容器内，将所述处理容器内设为对所述能够由组成式C3H2BrF3表示的化合物的气体进行发射光谱分析而得到的CF2/F比的值成为0.33以上的条件，对所述被处理体上的硅氮化物膜进行等离子体蚀刻，所述能够由组成式C3H2BrF3表示的化合物的气体为2‑溴‑3,3,3‑三氟丙烯气体、1‑溴‑3,3,3‑三氟丙烯气体、(E)‑1‑溴‑3,3,3‑三氟丙烯气体和/或3‑溴‑2,3,3‑三氟丙烯气体。