[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201780015428.5 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN108780828B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 成演准 | 申请（专利权）人： | 苏州乐琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/36;H01L33/40;H01L33/38;H01L33/48 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一个实施例包括：半导体衬底；图案层，设置在所述半导体衬底上并且包括彼此分离的多个图案；氮化物半导体层，设置在所述图案层上；以及半导体结构，设置在所述氮化物半导体层上并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中所述图案层的热导率高于所述半导体衬底的热导率和所述半导体结构的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；图案层，设置在所述半导体衬底上，所述图案层包括彼此分离的多个图案；氮化物半导体层，设置在所述图案层上；以及半导体结构，设置在所述氮化物半导体层上，所述半导体结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中所述图案层的热导率高于所述半导体衬底的热导率和所述半导体结构的热导率。
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