[发明专利]氮化铝单晶基板的制造方法有效
| 申请号： | 201780015442.5 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108713075B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 永岛徹;冈山玲子;福田真行;柳裕之 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/01;C23C16/34;C30B25/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化铝单晶基板的制造方法，其包括：准备工序，准备由氮化铝单晶形成的基底基板；生长工序，通过在该基底基板的主面上生长厚度500μm以上的氮化铝单晶层从而得到层叠体；分离工序，切割该层叠体的氮化铝单晶层部分，使层叠体分离成层叠有氮化铝单晶层的至少一部分的薄膜的基底基板及除此之外的氮化铝单晶层部分；再生研磨工序，对层叠有该薄膜的基底基板的薄膜的表面进行研磨；以及循环工序，将该再生研磨工序中得到的由氮化铝单晶形成的再生基底基板作为在其研磨表面上生长氮化铝单晶的基底基板使用。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 铝单晶基板 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化铝单晶基板的制造方法，其为将铝源和氮源供给到由氮化铝单晶形成的基底基板的主面上，在该主面上生长氮化铝单晶层之后，分离该基底基板和氮化铝单晶层，从而制造氮化铝单晶基板的方法，其特征在于包括：准备工序，准备由氮化铝单晶形成的基底基板；生长工序，通过在该基底基板的主面上生长厚度500μm以上的氮化铝单晶层，从而得到具有所述基底基板和在该基底基板的主面上生长的所述氮化铝单晶层的层叠体；分离工序，切割所述层叠体的所述氮化铝单晶层部分，使所述层叠体分离成层叠有氮化铝单晶层的至少一部分的薄膜的基底基板及除此之外的氮化铝单晶层部分；再生研磨工序，对层叠有该薄膜的基底基板的薄膜的表面进行研磨；以及循环工序，将该再生研磨工序中得到的由氮化铝单晶形成的再生基底基板作为在其研磨表面上生长氮化铝单晶的基底基板使用。
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