[发明专利]用于选择性干式蚀刻的方法及设备有效
| 申请号： | 201780015467.5 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108778739B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李宁;M·巴尔西努;夏立群;D·杨;王安川 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | B32B38/00 | 分类号： | B32B38/00;B32B9/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于形成间隔物的方法包含以下步骤：在特征的顶部、底部及侧壁上沉积膜，以及对膜进行处理以改变特征的顶部与底部上的膜的性质。相对于特征的侧壁上的膜，使用高强度等离子体从特征的顶部与底部选择性地干式蚀刻膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 蚀刻 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种处理方法，包含以下步骤：提供其上具有至少一个特征的基板表面，所述至少一个特征包含顶部、底部及侧壁；在所述至少一个特征上形成膜，以使得所述膜形成于所述顶部、所述底部及所述侧壁上；利用等离子体对所述膜进行处理，以改变所述特征的所述顶部与底部上的所述膜相对于所述侧壁的性质；以及将经处理的所述膜暴露至高强度等离子体，以对所述膜进行选择性干式蚀刻。
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