[发明专利]在去夹持步骤期间移除静电夹盘上的残余电荷的方法有效
申请号: | 201780015690.X | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN108886013B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 小温德尔·G·博伊德;汤姆·K·崔;罗伯特·T·海拉哈拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于从基板支撑件对残余电荷进行放电的方法和设备。在一个例子中,提供了基板支撑件,基板支撑件包括本体、设置在本体中的电极、辐射发射器和扩散器。本体具有形成在工件支撑表面中的一个或多个孔,工件支撑表面经构造以在工件支撑表面上接收基板。电极经构造以将基板静电保持到工件支撑表面。辐射发射器设置在形成于工件支撑表面中的一个或多个孔的第一孔中。辐射发射器经构造以从第一孔发射电磁能。扩散器设置在第一孔中并位于辐射发射器上方。 | ||
搜索关键词: | 夹持 步骤 期间 静电 夹盘上 残余 电荷 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板支撑件,包含:本体,具有形成在工件支撑表面中的一个或多个孔,所述工件支撑表面经构造以在所述工件支撑表面上接收基板;电极,设置在所述本体中,且经构造以将所述基板静电保持到所述工件支撑表面;辐射发射器,设置在形成于所述工件支撑表面中的所述一个或多个孔的第一孔中,所述辐射发射器经构造以从所述第一孔发射电磁能;及扩散器,设置在所述第一孔中并位于所述辐射发射器上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780015690.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造