[发明专利]聚硅氧烷、半导体用材料、半导体及太阳能电池制备方法有效
| 申请号： | 201780015761.6 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109153787B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 徐芳荣;李平;池田武史;宋韡;金光男;梅原正明;北田刚 | 申请（专利权）人： | 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C08G77/16 | 分类号： | C08G77/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;牛蔚然 |
| 地址： | 200241 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
一种聚硅氧烷，含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段， |
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| 搜索关键词： | 聚硅氧烷 半导体 用材 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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