[发明专利]半导体光器件和其制造方法有效
| 申请号： | 201780016697.3 | 申请日： | 2017-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108780824B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 田崎宽郎 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供具有比以往优异的光提取效率或光吸收效率且降低了布线电极部的剥离率的半导体光器件和其制造方法。在本发明的半导体光器件中，在半导体层(110)的成为发光面或受光面的表面设有布线电极部(120)，布线电极部(120)的线宽(W |
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| 搜索关键词： | 半导体 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光器件，在该半导体光器件中，在半导体层的成为发光面或受光面的表面设有布线电极部，该半导体光器件的特征在于，所述布线电极部的线宽为2μm以上且为5μm以下，所述布线电极部具有形成于所述半导体层上的金属层和形成于该金属层上的导电性硬质膜，所述导电性硬质膜的硬度高于所述金属层的硬度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
