[发明专利]有机半导体组合物、有机薄膜晶体管的制造方法及有机薄膜晶体管

摘要

本发明提供一种含有下述(a)～(c)的有机半导体组合物、使用了该组合物的有机薄膜晶体管的制造方法以及在有机半导体层具有上述(a)及(b)的有机薄膜晶体管：(a)特定分子量且特定结构的有机半导体聚合物；(b)特定分子量的绝缘性聚合物；(c)溶剂，上述有机半导体聚合物的重均分子量Mw1和上述绝缘性聚合物的重均分子量Mw2满足下述关系式：0.1≤Mw1/Mw2≤10，上述有机半导体组合物中的上述有机半导体聚合物的含量C1质量％和上述绝缘性聚合物的含量C2质量％满足下述关系式：0.1≤C1/C2≤10。

主权项

1.一种有机半导体组合物，其含有下述(a)～(c)：(a)重均分子量为2000以上的有机半导体聚合物；(b)重均分子量为2000以上的绝缘性聚合物；(c)溶剂，所述有机半导体聚合物的重均分子量Mw1和所述绝缘性聚合物的重均分子量Mw2满足下述关系式，0.1≤Mw1/Mw2≤10所述有机半导体组合物中的所述有机半导体聚合物的含量C1质量％和所述绝缘性聚合物的含量C2质量％满足下述关系式，0.1≤C1/C2≤10所述有机半导体聚合物具有由下述式(1)表示的结构单元，[化学式1]式(1)中，D表示具有单环结构芳香族杂环或者稠合多环结构芳香族杂环的基团、或具有稠合多环芳香族烃环的基团，所述单环结构芳香族杂环或者稠合多环结构芳香族杂环具有至少1个选自氮原子、氧原子、硫原子及硒原子中的原子作为环构成原子，A表示具有由下述式(A‑1)～(A‑12)中的任一者表示的结构的基团，[化学式2]式(A‑1)～(A‑12)中，XA表示氧原子、硫原子、硒原子或NRX，RN及RX表示可以在碳链中包含‑O‑、‑S‑及‑NRA3‑中的至少1者的烷基或由下述式(1‑1)表示的基团，YA表示氧原子或硫原子，ZA表示CRA2或氮原子，WA表示C(RA2)2、NRA1、氮原子、CRA2、氧原子、硫原子或硒原子，RA1表示可以在碳链中包含‑O‑、‑S‑及‑NRA3‑中的至少1者的烷基、由下述式(1‑1)表示的基团或单键，RA2表示氢原子、卤原子、可以在碳链中包含‑O‑、‑S‑及‑NRA3‑中的至少1者的烷基或单键，RA3表示氢原子或取代基，*表示用于嵌入于所述式(1)的A中的键合部位，[化学式3]式(1‑1)中，La表示可以在碳链中包含‑O‑、‑S‑及‑NR1S‑中的至少1者的碳原子数1～20的亚烷基，Ar表示芳香族杂环基或碳原子数6～18的芳香族烃基，Lb表示可以在碳链中包含‑O‑、‑S‑及‑NR2S‑中的至少1者的碳原子数1～100的烷基，R1S及R2S表示氢原子或取代基，l为1～5的整数，*表示键合部位。