[发明专利]接合方法有效
| 申请号： | 201780017368.0 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN108781064B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 多井知义;堀裕二;浅井圭一郎;吉野隆史;后藤万佐司;滑川政彦 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H01L41/313;H01L41/337;H01L41/39;H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在压电性材料基板1上形成接合层3，接合层3包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面4和支撑基板的表面照射中性束A，将接合层的表面和支撑基板的表面活化。将接合层的表面5与支撑基板的表面直接键合。 | ||
| 搜索关键词： | 接合层 支撑基板 压电性材料 表面活化 表面照射 对接合层 五氧化钽 五氧化铌 直接键合 接合 氮化硅 氮化铝 莫来石 氧化钛 氧化铝 基板 自由 | ||
【主权项】：
1.一种接合方法，是将压电性材料基板和包含单晶的支撑基板接合的方法，其特征在于，具有：在所述压电性材料基板上设置氧化硅膜的工序，在所述氧化硅膜上形成接合层的工序，所述接合层包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质；通过对所述接合层的表面和所述支撑基板的表面照射中性束而将所述接合层的所述表面和所述支撑基板的所述表面活化的工序；和将所述接合层的所述表面和所述支撑基板的表面直接键合的工序。
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