[发明专利]半导体元件、其制造方法、无线通信装置及传感器在审
| 申请号： | 201780018514.1 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108780843A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 矶贝和生;村濑清一郎;长尾和真 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;G01N27/414;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;焦成美 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体元件，其是含有基板、第一电极、第二电极及半导体层、并且上述半导体层配置于上述第一电极与上述第二电极之间而成的半导体元件，其中，上述半导体层含有选自碳纳米管及石墨烯中的一种以上，上述半导体元件的沟道长度LC及沟道宽度WC的关系为0.01≤WC/LC≤0.8。提供开关特性优异的半导体元件、及用作传感器时具有高的检测灵敏度的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体元件 半导体层 第二电极 第一电极 传感器 沟道 半导体层配置 无线通信装置 检测灵敏度 开关特性 碳纳米管 石墨烯 基板 制造 | ||
【主权项】：
1.半导体元件，其是含有基板、第一电极、第二电极及半导体层、并且所述半导体层配置在所述第一电极与所述第二电极之间而成的半导体元件，其中，所述半导体层含有选自碳纳米管及石墨烯中的一种以上，所述半导体元件的沟道长度LC及沟道宽度WC的关系为0.01≤WC/LC≤0.8。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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