[发明专利]新化合物半导体及其用途有效
申请号: | 201780018528.3 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN109075242B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 高京门;金玟冏;朴哲熙;朴致成;郑明珍;闵裕镐 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L35/14 | 分类号: | H01L35/14;H01L35/18;H01L35/16;H01L35/34;H01L31/0272;C01G51/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种新化合物半导体和用于制备其的方法,所述新化合物半导体具有提高的热电优值以及优异的导电性,并且因此可以应用于多种用途,例如太阳能电池、热电转换装置的热电转换材料等。 | ||
搜索关键词: | 化合物 半导体 及其 用途 | ||
【主权项】:
1.一种由以下化学式1表示的化合物半导体:[化学式1]PrxSyCo4Sb12‑zQz在化学式1中,Q包括O、Se和Te中的至少一者,x、y和z意指各元素的摩尔比,其中0
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