[发明专利]新化合物半导体及其用途有效

专利信息
申请号: 201780018528.3 申请日: 2017-12-22
公开(公告)号: CN109075242B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 高京门;金玟冏;朴哲熙;朴致成;郑明珍;闵裕镐 申请(专利权)人: 株式会社LG化学
主分类号: H01L35/14 分类号: H01L35/14;H01L35/18;H01L35/16;H01L35/34;H01L31/0272;C01G51/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;蔡胜有
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了一种新化合物半导体和用于制备其的方法,所述新化合物半导体具有提高的热电优值以及优异的导电性,并且因此可以应用于多种用途,例如太阳能电池、热电转换装置的热电转换材料等。
搜索关键词: 化合物 半导体 及其 用途
【主权项】:
1.一种由以下化学式1表示的化合物半导体:[化学式1]PrxSyCo4Sb12‑zQz在化学式1中,Q包括O、Se和Te中的至少一者,x、y和z意指各元素的摩尔比,其中0
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