[发明专利]用于硅光子学中的III-V芯片的宽带后视镜有效
| 申请号： | 201780018613.X | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108886236B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 达米安·兰贝特 | 申请（专利权）人： | 斯考皮欧技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/22;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体激光器具有形成于增益芯片中的反射镜。可以将所述反射镜置于所述增益芯片中以提供宽带反射器，从而使用所述增益芯片支持多个激光器。所述反射镜也可以置于所述增益芯片中，以通过改变所述半导体激光器的增益的光程长度来使所述半导体激光器更高效或更强大。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光子 中的 iii 芯片 宽带 后视镜 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，包括：芯片，其中：所述芯片由半导体材料制成；所述半导体材料具有直接带隙；所述芯片包括第一边缘；所述芯片包括第二边缘；以及所述第一边缘与所述第二边缘相对；所述芯片中的壁，其中所述壁位于所述第一边缘和所述第二边缘之间；和设置在所述壁上的涂层，其中所述涂层形成所述芯片中的反射镜。
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