[发明专利]膜状粘接剂、半导体加工用片及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201780018918.0 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN109041580A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 仲秋夏树;佐藤明德;土山彩香;铃木英明 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B23K26/53;C09J201/00;C09J7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的膜状粘接剂(13)是固化性的膜状粘接剂，厚度为60μm的固化前的单层的膜状粘接剂(13)、或者将固化前的2层以上的膜状粘接剂(13)按照总厚度为60μm的方式层叠而成的层叠体在0℃下的断裂伸长率为60％以下，固化前的膜状粘接剂(13)对于半导体晶片的粘接力为300mN/25mm以上。本发明的半导体加工用片(1)在具有基材(11)的支撑片(10)上设置有膜状粘接剂(13)。 | ||
| 搜索关键词： | 膜状粘接剂 固化 半导体加工 半导体晶片 半导体装置 断裂伸长率 层叠体 固化性 粘接力 支撑片 单层 基材 制造 | ||
【主权项】：
1.一种膜状粘接剂，其是固化性的膜状粘接剂，厚度为60μm的固化前的单层的所述膜状粘接剂、或者将固化前的2层以上的所述膜状粘接剂按照总厚度为60μm的方式层叠而得到的层叠体在0℃下的断裂伸长率为60％以下，固化前的所述膜状粘接剂对于半导体晶片的粘接力为300mN/25mm以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社，未经琳得科株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780018918.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：湿式洗净装置及湿式洗净方法
- 下一篇：薄膜晶体管阵列面板和导电结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
