[发明专利]存储元件和存储元件的制造方法有效
| 申请号： | 201780019005.0 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108886022B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 伊藤琢哉;嵯峨幸一郎 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H10N50/01;H01L29/82 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 韩晓薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | [问题]为了提高存储元件的元件可靠性。[解决方案]提供了一种存储元件，其通过在基板上排列各自具有MTJ结构的多个磁阻元件而构成，其中，在每个磁阻元件中，在用作存储层的磁体层中的除了用作磁阻元件的区域之外的区域中存在去磁区域，并且该去磁区域包括合金，该合金包括：形成磁体层的第一化学元素；以及第二化学元素，其当与第一化学元素一起形成合金时具有fcc结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储元件，包括：排列在基板上的多个磁阻元件，所述多个磁阻元件具有MTJ结构，其中，在所述磁阻元件中用作存储层的磁性材料层的、除了用作所述磁阻元件的区域之外的区域中存在磁性被中和的区域，并且所述磁性被中和的区域包括合金，所述合金包含构成所述磁性材料层的第一元素以及当与第一元素形成合金时具有fcc结构的第二元素。
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