[发明专利]摄像装置、摄像装置的制造方法和电子装置有效
申请号: | 201780019068.6 | 申请日: | 2017-03-17 |
公开(公告)号: | CN108886048B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 水田恭平 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/768;H01L21/822;H01L27/04;H04N5/355;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本技术涉及能够在像素中设置电容元件的情况下防止成像装置的灵敏度降低的成像装置、成像装置的制造方法和电子装置。成像装置包括像素,像素包括:光电转换元件、累积由光电转换元件产生的电荷的电容元件、第一至第三绝缘膜、晶体管及第二触点。第一绝缘膜位于光电转换元件上。所述晶体管的栅极位于第二绝缘膜上。电容元件包括多个沟槽电容器,所述多个沟槽电容器包括:第一电极,包括多个沟槽;多个第二电极,每个第二电极的横截面积小于连接到像素中的所述晶体管的栅极的第一触点,并且埋入每个沟槽中。所述第三绝缘膜在每个沟槽中设置在第一电极和第二电极之间。第二触点连接至第一电极的上表面。本技术例如可以应用于背面照射型CMOS图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 制造 方法 电子 | ||
【主权项】:
1.一种成像装置,包括像素中的:光电转换元件;以及电容元件,配置为累积由所述光电转换元件产生的电荷,其中,所述电容元件包括:第一电极,其中形成多个第一沟槽,多个第二电极,每个所述第二电极的横截面积小于连接到所述像素中的晶体管的栅极的触点,并且埋入每个所述第一沟槽中,以及第一绝缘膜,在每个所述第一沟槽中设置在所述第一电极和所述第二电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的