[发明专利]π共轭系硼化合物、电子设备和三芳基硼烷及其中间体的制造方法有效
| 申请号： | 201780019281.7 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108884113B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 北弘志;饭岛贵之;大井秀一;北本雄一 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | C07F5/02 | 分类号： | C07F5/02;C09K11/06;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;赵雁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的课题是提供硼原子与碳原子的键得到强化的新型π共轭系硼化合物。另外，本发明提供在有机功能层中含有该π共轭系硼化合物的具有高耐久性和高电子传导性的有机电致发光元件、光电转换设备及薄膜晶体管等电子设备。进而，本发明提供三芳基硼烷及其中间体的制造方法。本发明的π共轭系硼化合物是硼原子与3个芳香族基团介由3个硼－碳键键合而成的π共轭系硼化合物，特征在于上述3个硼－碳键的键长全部在 |
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| 搜索关键词： | 共轭 化合物 电子设备 三芳基硼烷 及其 中间体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种π共轭系硼化合物，其特征在于，是硼原子与3个芳香族基团介由3个硼－碳键键合而成的π共轭系硼化合物，所述3个硼－碳键的键长全部在![]()
以下。
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