[发明专利]中空二氧化硅粒子及其制造方法有效
| 申请号： | 201780019297.8 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN109071239B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 星田浩树 | 申请（专利权）人： | 花王株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可简便地获得碱金属含量被降低了的中空二氧化硅粒子的中空二氧化硅粒子的制造方法。本发明涉及一种中空二氧化硅粒子的制造方法，其包括下述工序(1)及(2)。(1)将于有机碱水溶液中溶解了二氧化硅的二氧化硅溶解液进行喷雾干燥，获得中空二氧化硅前体的工序。(2)将上述中空二氧化硅前体进行烧成，获得中空二氧化硅粒子的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 二氧化硅 粒子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中空二氧化硅粒子的制造方法，其包括下述工序(1)及(2)：(1)将于有机碱水溶液中溶解了二氧化硅的二氧化硅溶解液进行喷雾干燥，获得中空二氧化硅前体的工序；以及(2)将所述中空二氧化硅前体进行烧成，获得中空二氧化硅粒子的工序。
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