[发明专利]选择性SiARC去除有效
| 申请号： | 201780019678.6 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN108885402B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 希亚姆·斯里达尔;王立;安德鲁·诺兰;浩人大竹;谢尔盖·沃罗宁;阿洛克·兰詹 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;G03F7/42;G03F7/075;G03F7/09;H01L21/027;H01L21/311;H01L21/47 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 唐京桥;姜婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 描述了用于选择性硅抗反射涂层(SiARC)去除的方法和系统。方法的实施方式包括在处理室中设置基板，基板包括：抗蚀剂层、SiARC层、图案转移层和底层。这样的方法还可以包括执行图案转移处理，图案转移处理被配置成去除抗蚀剂层并且在基板上创建结构，结构包括图案转移层和SiARC层的一部分。方法还可以包括对结构的SiARC层执行修改处理，该修改将SiARC层转变成多孔SiARC层。此外，方法可以包括执行结构的多孔SiARC层的去除处理，其中，SiARC层的修改处理和去除处理被配置成满足目标集成目的。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 基板 图案转移层 抗蚀剂层 图案转移 抗反射涂层 目标集成 选择性硅 配置 创建 | ||
【主权项】：
1.一种用于选择性去除基板中的含硅抗反射涂层SiARC的集成工艺的方法，所述方法包括：/n在处理室中设置基板，所述基板包括：/n抗蚀剂层、SiARC、图案转移层以及底层；/n执行图案转移处理，其被配置成去除所述抗蚀剂层并且在所述基板上创建结构，所述结构包括所述图案转移层和所述SiARC的一部分；/n对所述结构的SiARC执行氮化修改处理，所述氮化修改处理使用氮离子的等离子体并且轰击所述SiARC以在所述SiARC中将所述氮离子注入至注入深度，将所述SiARC转变成具有增加的氮含量的氮化SiARC；以及/n执行所述结构的氮化SiARC的去除处理，其中，所述增加的氮含量增加所述SiARC的去除百分比并且增加所述SiARC相对于所述图案转移层和/或所述底层的蚀刻选择性。/n
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