[发明专利]对被处理物进行处理的方法

摘要

一实施方式中晶片(W)具备被蚀刻层(EL)和设置在被蚀刻层(EL)上的掩膜(MK4)，一实施方式的方法(MT)通过重复执行序列(SQ3)，并对每个原子层除去被蚀刻层(EL)来对被蚀刻层(EL)进行蚀刻，该序列(SQ3)包括：工序(ST9a)，通过产生等离子体并对平行平板电极的上部电极(30)施加直流电压来照射二次电子、并且用氧化硅化合物覆盖掩膜(MK4)；工序(ST9b)，生成氟碳系气体的等离子体并在被蚀刻层(EL)的表面的原子层形成含有自由基的混合层(MX2)；及(ST9d)，生成Ar气体的等离子体并施加偏置电压来除去混合层(MX2)。

主权项

1.一种方法，其是对被处理物进行处理的方法，其中，所述被处理物具备被蚀刻层和设置在该被蚀刻层上的第1掩膜，该方法通过重复执行第1序列，并对每个原子层除去所述被蚀刻层，从而对该被蚀刻层进行蚀刻，该第1序列包括：第1工序，通过在收容有所述被处理物的等离子体处理装置的处理容器内产生等离子体并对设置于该处理容器的平行平板电极的上部电极施加负的直流电压，从而对所述第1掩膜照射二次电子、并且从由该上部电极具备且含有硅的电极板释放硅而用包含该硅的氧化硅化合物覆盖该第1掩膜；第2工序，在执行所述第1工序之后，在所述处理容器内生成第1气体的等离子体，且在所述被蚀刻层的表面的原子层形成含有该等离子体所包含的自由基的混合层；第3工序，在执行所述第2工序之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫；第4工序，在执行所述第3工序之后，在所述处理容器内生成第2气体的等离子体，对该等离子体施加偏置电压而除去所述混合层；及第5工序，在执行所述第4工序之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫。