[发明专利]对被处理物进行处理的方法有效
| 申请号： | 201780020010.3 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108885991B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 木原嘉英;久松亨;大石智之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 任玉敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一实施方式中，晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)、防反射膜(AL)及掩膜(MK1)，一实施方式的方法MT具备如下工序：在收容有该晶片(W)的等离子体处理装置(10)的处理容器(12)内，通过在处理容器(12)内产生的等离子体并使用掩膜(MK1)对防反射膜(AL)进行蚀刻处理，该工序具备：在掩膜(MK1)的表面保形地形成保护膜(SX)的工序(ST3a)～工序(ST4)；及通过使用形成有保护膜(SX)的掩膜(MK1)按原子层去除防反射膜(AL)而对防反射膜(AL)进行蚀刻的工序(ST6a)～工序(ST7)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 进行 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对被处理物进行处理的方法，其中，所述被处理物具备被蚀刻层、设置在该被蚀刻层上的有机膜、设置在该有机膜上的防反射膜及设置在该防反射膜上的第1掩膜，该方法具备：在收容有所述被处理物的等离子体处理装置的处理容器内，在所述第1掩膜的表面保形地形成保护膜的工序；及在执行完保形地形成所述保护膜的所述工序之后，使用形成有该保护膜的所述第1掩膜，通过在所述处理容器内产生的等离子体按原子层去除所述防反射膜，并对该防反射膜进行蚀刻的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780020010.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
