[发明专利]中子栅格、中子栅格层叠体、中子栅格装置及中子栅格的制造方法有效
| 申请号： | 201780020012.2 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109073770B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 福田幸洋;足达祥卓;中岛信昭;日塔光一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | G01T7/00 | 分类号： | G01T7/00;G01N23/05;G01T1/29;G01T3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
中子栅格具备：栅格部，所述栅格部具有使透过对象物的第1中子的至少一部分透过的多个间隔物和将被对象物散射的第2中子的至少一部分吸收的多个吸收体，间隔物及吸收体沿着第1方向交替地排列且沿着与第1方向交叉的第2方向延伸；和一对覆盖材，所述一对覆盖材沿着与第1方向及第2方向交叉的第3方向来夹持栅格部且使第1中子的至少一部分及第2中子的至少一部分透过。间隔物与吸收体之间的热膨胀系数差为±9×10 |
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| 搜索关键词： | 中子 栅格 层叠 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中子栅格，其具备：栅格部，所述栅格部具有使透过对象物的第1中子的至少一部分透过的多个间隔物和将被所述对象物散射的第2中子的至少一部分吸收的多个吸收体，所述间隔物及所述吸收体沿着第1方向交替地排列且沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸；和一对覆盖材，所述一对覆盖材沿着与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向来夹持所述栅格部且使所述第1中子的至少一部分及所述第2中子的至少一部分透过，其中，所述间隔物与所述吸收体之间的热膨胀系数差为±9×10‑6/℃以内；或者所述间隔物的杨氏模量为100GPa以上。
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