[发明专利]用于制造ReRAM存储器的层的方法和离子植入机的应用在审
| 申请号： | 201780020418.0 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN109155363A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | R.博罗夫斯基;W.J.金;V.拉纳;R.瓦泽 | 申请（专利权）人： | 于利奇研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01J37/317 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;刘春元 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造ReRAM存储器的层的方法以及离子植入机的应用。按照本发明，为了制造ReRAM存储器，将TMO层以所希望的顺序涂覆到电极上，而且在此借助于离子植入机用离子、例如氧离子来轰击至少一个TMO层，使得造成将离子植入到该TMO层中。 | ||
| 搜索关键词： | 离子植入机 存储器 离子 制造 电极 氧离子 涂覆 植入 轰击 应用 | ||
【主权项】：
1.用于制造ReRAM存储器的层的方法，其中将至少一个TMO层（1）涂覆到下电极（1）上，其特征在于，借助于离子植入方法将外来原子植入到至少一个TMO层中。
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