[发明专利]簇射头及真空处理装置有效
| 申请号： | 201780020497.5 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN108885994B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 神保洋介;山本良明;茶谷宏纪;西方靖;菊池亨 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/455;H01L21/3065;H01L21/318;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实现等离子体密度的面内偏差的均匀化。本发明的一方式的簇射头具有头主体和簇射板。上述头主体具有内部空间。上述簇射板具有与上述内部空间连通的多个气体喷射口、从上述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、配置在上述气体喷射面的多个孔部。在上述簇射板中的构成方式为，上述多个孔部的表面积从上述气体喷射面的中心呈放射状阶段性增大。 | ||
| 搜索关键词： | 簇射头 真空 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种簇射头，具有：头主体，其具有内部空间；簇射板，其构成为具有与所述内部空间连通的多个气体喷射口、从所述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、以及配置在所述气体喷射面的多个孔部，所述多个孔部的表面积从所述气体喷射面的中心呈放射状阶段性增大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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