[发明专利]垂直SiC-MOSFET有效
| 申请号： | 201780021075.X | 申请日： | 2017-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108886056B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | T·雅克;W·法伊勒 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/772;H01L29/808;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种垂直SiC‑MOSFET(20)，其具有源极连接端(2)、漏极连接端(4)和栅极区域(36)并且具有布置在所述源极连接端(2)与所述漏极连接端(4)之间的、具有第一类型的掺杂的外延层(22)，其中，水平延伸的中间层(24)嵌入到所述外延层(22)中，所述中间层具有以下区域(40)：所述区域具有与第一类型的掺杂不同的第二类型的掺杂。所述垂直SiC‑MOSFET(20)的特征在于，至少具有第二类型的掺杂的区域(40)与所述源极连接端(2)导电连接。栅极区域(36)可以布置在栅极沟道(39)中。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 sic mosfet | ||
【主权项】：
1.一种垂直SiC‑MOSFET(20)，其具有源极连接端(2)、漏极连接端(4)和栅极区域(36)并且具有布置在所述源极连接端(2)与所述漏极连接端(4)之间的、具有第一类型的掺杂的外延层(22)，其中，水平延伸的中间层(24)嵌入到所述外延层(22)中，所述中间层具有以下区域(40)：所述区域具有与第一类型的掺杂不同的第二类型的掺杂，其特征在于，至少具有第二类型的掺杂的区域(40)与所述源极连接端(2)导电连接。
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