[发明专利]用于三维存储器阵列的热绝缘有效
| 申请号： | 201780021358.4 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108886051B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | P·凡蒂尼 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B63/10 | 分类号： | H10B63/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及用于三维存储器阵列的热绝缘。描述用于三维存储器阵列的方法、系统及装置。存储器单元可在暴露于高温时转换，所述高温包含与相邻单元的读取或写入操作相关联的高温，从而破坏存储于所述存储器单元中的数据。为防止此热干扰效应，存储器单元可由包含一或若干界面的热绝缘区域彼此分离。所述界面可通过将不同材料彼此层叠或在形成期间调整材料的沉积参数而形成。所述层可使用例如平面薄膜沉积技术产生。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 存储器 阵列 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器阵列，其包括：第一层，其包括耦合到第一电极的第一存储器元件；第二层，其包括耦合到第二电极的第二存储器元件；第三层，其包括至少两个子层的堆叠，所述第三层定位于所述第一及第二层之间，其中所述第一、第二及第三层各自大体上彼此平行；及第三电极，其耦合到所述第一及第二存储器元件，其中所述第三电极大体上垂直于所述第一、第二及第三层。
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