[发明专利]沉淀氟氧化钇的清洁工艺有效
| 申请号： | 201780021736.9 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109196620B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | C·李;J·Y·孙;Y·陈 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/56;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法，所述方法包括使包含钇基氧化物的制品浸没在包含水和1摩尔％～10摩尔％的HF酸的酸性清洁溶液中。所述HF酸会溶解部分的所述钇基氧化物。基于所述HF酸与所述钇基氧化物的已溶解部分之间的反应而形成钇基氟氧化物。所述钇基氟氧化物沉淀在所述制品上并且覆盖所述钇基氧化物而形成钇基氟氧化物涂层。所述酸性清洁溶液可以包含钇基盐，所述钇基盐可以额外与所述HF酸进行反应以形成更多的钇基氟氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 沉淀 氧化钇 清洁 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：使包含钇基氧化物的制品浸没在酸性清洁溶液中，所述酸性清洁溶液包括水、1摩尔％～10摩尔％的HF酸和钇基盐；用所述HF酸溶解一部分的所述钇基氧化物；基于1)所述HF酸与所述钇基氧化物的已溶解部分之间的反应以及2)所述HF酸与所述钇基盐之间的反应而形成钇基氟氧化物；以及使所述钇基氟氧化物沉淀在所述制品上并且覆盖所述钇基氧化物以形成钇基氟氧化物涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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