[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。工序(A)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于上述半导体晶片的上述电路形成面侧的粘着性膜(100)；工序(B)，将上述半导体晶片的与上述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨；工序(C)，对粘着性膜(100)照射紫外线之后从上述半导体晶片除去粘着性膜(100)。作为粘着性膜(100)，使用具备基材层(10)、以及设置于基材层(10)的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层(20)的粘着性膜。而且，在粘着性膜(100)中，粘着性树脂层(20)包含紫外线固化型粘着性树脂，利用特定的方法测定得到的紫外线固化后的粘着性树脂层(20)的表面的饱和带电压V1为2.0kV以下。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，至少具备下述工序：工序(A)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的半导体晶片、以及贴合于所述半导体晶片的所述电路形成面侧的粘着性膜，工序(B)，将所述半导体晶片的与所述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨，工序(C)，对所述粘着性膜照射紫外线之后，从所述半导体晶片除去所述粘着性膜，作为所述粘着性膜，使用具备基材层、以及设置于所述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层的粘着性膜，所述粘着性树脂层包含紫外线固化型粘着性树脂，利用下述方法测定得到的紫外线固化后的所述粘着性树脂层表面的饱和带电压V 1为2.0kV以下，方法：对于所述粘着性树脂层，在25℃的环境下使用高压水银灯，以照射强度100mW/cm2照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线，使所述粘着性树脂层光固化，然后在外加电压10kV、试样与电极的距离20mm、25℃、50％RH的条件下，对于所述粘着性树脂层的表面外加电压30秒，按照JIS L1094算出所述粘着性树脂层的表面的饱和带电压(V1)。