[发明专利]使基材内孔道金属化的方法在审
申请号: | 201780022273.8 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN109075080A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | R·E·达尔伯格;S·贾亚拉曼 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/768;H01L21/288;H01L23/15;H01L23/498 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 高宏伟;乐洪咏 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文公开了使基材内孔道金属化的方法。在一种实施方式中,一种使孔道金属化的方法包括将基材设置于生长基材上。所述基材包含第一表面、第二表面和至少一个孔道。所述基材的第一表面或第二表面直接接触生长基材的表面,且生长基材的表面是导电的。该方法还包括向所述基材施用电解质,以将所述电解质设置于至少一个孔道内。所述电解质包含要沉积于至少一个孔道内的金属的金属离子。所述方法还包括将电极定位于电解质中,并且在电极与基材之间施加电流和/或电压,从而将金属离子还原成至少一个孔道内的生长基材的表面上的金属。 | ||
搜索关键词: | 基材 孔道 电解质 生长基材 金属化 第二表面 第一表面 金属离子 内孔道 金属 电极定位 基材设置 施加电流 电极 导电 沉积 施用 还原 | ||
【主权项】:
1.一种使孔道金属化的方法,所述方法包括:将基材设置于生长基材上,其中:所述基材包含第一表面、第二表面和至少一个从所述第一表面向所述第二表面延伸的孔道;所述基材的所述第一表面或所述第二表面直接接触所述生长基材的表面;且所述生长基材的表面是导电的;将电解质设置于所述至少一个孔道中,其中,所述电解质包含要沉积于所述至少一个孔道内的金属的金属离子;将电极定位于所述电解质中;以及在所述电极与所述基材之间施加电流、电压或它们的组合,从而将所述金属离子还原成所述至少一个孔道内的所述生长基材的表面上的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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