[发明专利]包含具有低铝含量的电子势垒的半导体激光器在审
| 申请号： | 201780022687.0 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN109075533A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 马克·克劳利 | 申请（专利权）人： | 镁可微波技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/34;H01S5/20;H01S5/227;H01S5/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;杨华 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体激光器可以包括衬底、有源区和电子阻止层。电子阻止层可以包括铝镓铟砷磷合金。铝镓铟砷磷合金可以具有AlxGayIn(1‑x‑y)AszP(1‑z)组分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 铝镓铟砷 阻止层 合金 电子势垒 衬底 低铝 源区 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，包括：衬底；有源区；以及包括具有AlxGayIn(1‑x‑y)AszP(1‑z)组分的铝镓铟砷磷合金的电子阻止层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于镁可微波技术有限公司，未经镁可微波技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780022687.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高速VCSEL装置
- 下一篇：离子产生装置、具备离子产生装置的空气调节机
