[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在第一晶体管上形成第一绝缘体，该第一晶体管的沟道形成区域包括半导体衬底的一部分；在所述第一绝缘体上形成第二晶体管，该第二晶体管的沟道形成区域包括氧化物半导体；在所述第二晶体管上形成第二绝缘体；在所述第二绝缘体中形成开口，该开口到达所述第二晶体管；在所述第二绝缘体上形成第一导电体，该第一导电体嵌入在所述第二绝缘体的所述开口中；去除所述第一导电体的一部分，以使所述第二绝缘体的顶面露出；在所述第一导电体上形成阻挡层；对所述阻挡层及所述第二绝缘体进行氧等离子体处理；在所述阻挡层及所述第二绝缘体上形成第三绝缘体；以及在所述第三绝缘体上形成第二导电体，其中，所述阻挡层、所述第三绝缘体及所述第二导电体互相重叠且被用作电容器，并且，所述第一绝缘体、所述阻挡层及所述第三绝缘体都对氧及氢具有阻挡性。