[发明专利]用于被堆叠的晶粒的纳米级互连阵列有效

专利信息
申请号: 201780023081.9 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN108886019B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 王亮;李奉燮;贝尔格森·哈巴;李相日 申请(专利权)人: 英帆萨斯公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 林柳岑;贺亮
地址: 美国加州95134*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种微电子组件,其包括:一绝缘层,其具有成一纳米级间距阵列安置于其中的多个纳米级导体;及一对微电子元件。所述纳米级导体可形成所述微电子元件的接点之间的电气互连,而所述绝缘层可以机械方式将所述微电子元件耦接在一起。
搜索关键词: 用于 堆叠 晶粒 纳米 互连 阵列
【主权项】:
1.一种微电子组件,其包含:绝缘层,其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;多个纳米级导体,其以阵列方式安置于所述绝缘层内,所述多个纳米级导体自所述绝缘层的所述第一表面延伸至所述第二表面,所述阵列具有纳米级间距;第一微电子元件,其具有第一面及所述第一面处的多个第一元件接点,所述第一元件接点面朝所述绝缘层的所述第一表面且在所述绝缘层的所述第一表面处结合至所述多个纳米级导体;及第二微电子元件,其具有第二面及所述第二面处的多个第二元件接点,所述第二元件接点面朝所述绝缘层的所述第二表面且在所述绝缘层的所述第二表面处结合至所述多个纳米级导体,所述多个纳米级导体形成所述第一微电子元件的第一元件接点与所述第二微电子元件的第二元件接点之间的电气互连。
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