[发明专利]用于被堆叠的晶粒的纳米级互连阵列有效
申请号: | 201780023081.9 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN108886019B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 王亮;李奉燮;贝尔格森·哈巴;李相日 | 申请(专利权)人: | 英帆萨斯公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑;贺亮 |
地址: | 美国加州95134*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种微电子组件,其包括:一绝缘层,其具有成一纳米级间距阵列安置于其中的多个纳米级导体;及一对微电子元件。所述纳米级导体可形成所述微电子元件的接点之间的电气互连,而所述绝缘层可以机械方式将所述微电子元件耦接在一起。 | ||
搜索关键词: | 用于 堆叠 晶粒 纳米 互连 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种微电子组件,其包含:绝缘层,其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;多个纳米级导体,其以阵列方式安置于所述绝缘层内,所述多个纳米级导体自所述绝缘层的所述第一表面延伸至所述第二表面,所述阵列具有纳米级间距;第一微电子元件,其具有第一面及所述第一面处的多个第一元件接点,所述第一元件接点面朝所述绝缘层的所述第一表面且在所述绝缘层的所述第一表面处结合至所述多个纳米级导体;及第二微电子元件,其具有第二面及所述第二面处的多个第二元件接点,所述第二元件接点面朝所述绝缘层的所述第二表面且在所述绝缘层的所述第二表面处结合至所述多个纳米级导体,所述多个纳米级导体形成所述第一微电子元件的第一元件接点与所述第二微电子元件的第二元件接点之间的电气互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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