[发明专利]固态图像摄像装置及其制造方法在审
申请号: | 201780023292.2 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN109564924A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 田中浩司;小田真弘 | 申请(专利权)人: | TOWERJAZZ松下半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/359;H04N5/374 |
代理公司: | 北京煦润律师事务所 11522 | 代理人: | 梁永芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的固态图像摄像装置具有:衬底(9);设在衬底(9)内的第一导电型的第一杂质区域(3a);形成在第一杂质区域内的第二导电型的受光部(3b);设在第一杂质区域(3a)下的第二导电型的溢出漏极区域(22);第二导电型的第二杂质区域(2),其与溢出漏极区域(22)一起构成将在受光部(3b)产生的过量电荷排出的排出路径;以及反射膜(1b)。 | ||
搜索关键词: | 杂质区域 导电型 溢出漏极区域 固态图像 摄像装置 受光部 衬底 过量电荷 排出路径 反射膜 排出 制造 | ||
【主权项】:
1.一种固态图像摄像装置,其特征在于,其具有:衬底,多个像素呈二维状地排列在所述衬底的上表面一侧;第一导电型的第一杂质区域,其设在所述衬底内;第二导电型的受光部,其设在多个所述像素中的每个像素上,且形成在所述第一杂质区域内,并对入射光进行光电转换;第二导电型的溢出漏极区域,其在所述衬底内设在所述第一杂质区域下;第二导电型的第二杂质区域,其在所述第一杂质区域内,与所述溢出漏极区域相连,并与所述溢出漏极区域一起构成将在所述受光部产生的过量电荷排出的排出路径;以及反射膜,其在所述衬底上或所述衬底内,位于与从所述受光部观察时来自外部的光入射的方向相反的一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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