[发明专利]在化学气相沉积工艺期间的动态晶片校平、倾斜、旋转

摘要

本说明书所述实施例总体上有关在沉积工艺期间对基板支撑件与气体分配媒介之间的处理间距的动态、实时控制。于沉积工艺期间的任何时间，利用多维自由度来改变基板平面相对于气体分配媒介的角度及间距。如此，在沉积工艺期间可校平、倾斜、旋转、摇晃和/或移动基板和/或基板支撑件，以达到改善的膜均匀度。此外，由于在基板平面相对于喷头的校平的持续变化，可得到对各层的独立调校，以平均化基板上的有效沉积，因而改良整体的叠层沉积性能。

主权项

1.一种控制气体分配组件与基板支撑件之间的处理间距的方法，所述基板支撑件设置在所述气体分配组件对面，所述方法包含下列步骤：(a)在设置在所述基板支撑件上的基板上沉积层；(b)测量所述基板上的所述层的厚度；(c)计算所述基板上的参考位置与所述基板上的多个其余位置之间的厚度差；(d)基于所述参考位置与所述多个其余位置之间的所述厚度差，决定所述多个其余位置相对于所述参考位置的处理间距调整量；及(e)实时地动态调整所述处理间距，以减少所述参考位置与所述多个其余位置中的各其余位置之间的所述厚度差，其中所述动态调整步骤发生在所述沉积步骤期间。