[发明专利]具有等离子体限制特征的基板支撑基座有效
| 申请号： | 201780024022.3 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109314039B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 林兴;周建华;E·P·哈蒙德四世;Z·J·叶;Z·苏;J·赵;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L21/683;H01L21/67;H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于加热的基板支撑基座的方法及装置。在一个实施例中，该加热的基板支撑基座包括：主体，包括陶瓷材料；多个加热元件，封装在该主体内。柱耦合至该主体的底面。多个加热器元件、顶电极及屏蔽电极安置在该主体内。该顶电极安置在该主体的顶面附近，而该屏蔽电极安置在该主体的该底面附近。导电杆被安置成穿过该柱且耦合至该顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 等离子体 限制 特征 支撑 基座 | ||
【主权项】：
1.一种基板支撑基座，包括：陶瓷主体，具有顶面及底面；柱，耦合至所述主体的所述底面；顶电极，安置在所述主体内，所述顶电极安置在所述主体的所述顶面附近；屏蔽电极，安置在所述主体内，所述屏蔽电极安置在所述主体的所述底面附近；导电杆，安置成穿过所述柱且耦合至所述顶电极；以及多个加热器元件，安置在所述主体内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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