[发明专利]V1和更高层可编程ECO标准单元

摘要

在本公开的一方面，提供了用于降低在芯片设计中使用ECO标准单元库的成本的装置。这一装置是包括若干区域(102、104、106和108)的MOS器件。该MOS器件包括在该器件的第一区域(102)中的第一pMOS晶体管(192)和第一nMOS晶体管(194)，这些晶体管中的每一者具有鳍。第一pMOS晶体管的pMOS晶体管栅极和第一nMOS晶体管的nMOS晶体管栅极由跨该器件在第一方向上延伸的栅极互连(112)形成。该MOS器件包括在该器件的毗邻于第一区域的第二区域(104)中的若干未利用的pMOS和nMOS晶体管。第一区域中的pMOS和nMOS晶体管的鳍与第二区域中的未利用的pMOS和nMOS晶体管的鳍断开连接。

主权项

1.一种包括多个区域的金属氧化物半导体(MOS)器件，所述MOS器件包括：在所述器件的第一区域中的第一多个p型MOS(pMOS)晶体管和第一多个n型MOS(nMOS)晶体管，所述第一多个pMOS晶体管中的每一者和所述第一多个nMOS晶体管中的每一者具有鳍，所述第一多个pMOS晶体管包括具有第一pMOS晶体管栅极、第一pMOS晶体管源极和第一pMOS晶体管漏极的第一pMOS晶体管，所述第一多个nMOS晶体管包括具有第一nMOS晶体管栅极、第一nMOS晶体管源极和第一nMOS晶体管漏极的第一nMOS晶体管，所述第一pMOS晶体管栅极和所述第一nMOS晶体管栅极由跨所述器件在第一方向上延伸的第一栅极互连形成；以及在所述器件的第二区域中的第二多个未利用的pMOS晶体管和第二多个未利用的nMOS晶体管，所述第二区域毗邻于所述第一区域，所述第二多个未利用的pMOS晶体管中的每一者和所述第二多个未利用的nMOS晶体管中的每一者具有鳍，所述第一区域中的所述第一多个pMOS晶体管和所述第一多个nMOS晶体管的鳍与所述第二区域中的所述第二多个未利用的pMOS晶体管和所述第二多个未利用的nMOS晶体管的鳍断开连接。