[发明专利]半导体测试电路、半导体测试装置和半导体测试方法

摘要

在RC‑IGBT芯片的半导体测试电路中，将探针的接触次数限制在最低限度而连续进行多个测试。将继电器(RL1)配置在电源(1)与开关元件(3)之间，将继电器(RL2)配置在开关元件(3)和RC‑IGBT芯片(8)的连接点与缓冲电路(4)之间，将继电器(RL3)配置在开关元件(3)和RC‑IGBT芯片(8)的连接点与线圈(L2)之间，将继电器(RL4)配置在二极管(D1)与开关元件(3)之间。IGBT部(8a)的接通/关断测试是使继电器(RL2、RL4)接通，IGBT部(8a)的雪崩测试是使继电器(RL2)接通，IGBT部(8a)的短路测试是使继电器(RL1)接通，FWD部(8b)的恢复测试是使继电器(RL1、RL3)接通。此时，探针的接触次数为一次。

主权项

1.一种半导体测试电路，其特征在于，进行将IGBT部和FWD部单芯片化而得的RC‑IGBT芯片的特性测试，所述半导体测试电路具备：电源；半导体的第一开关元件，其与所述RC‑IGBT芯片的集电极连接；第一线圈，其连接到所述电源的正极端子与所述第一开关元件之间；第一二极管，其以所述电源的正极端子的一侧为阴极且与所述第一线圈并联连接；缓冲电路，其连接到所述RC‑IGBT芯片的集电极与发射极之间；第二线圈，其连接到所述RC‑IGBT芯片的集电极与发射极之间；第一继电器，其与所述第一线圈并联连接；第二继电器，其连接到所述RC‑IGBT芯片的集电极与所述缓冲电路之间；第三继电器，其连接到所述RC‑IGBT芯片的集电极与所述第二线圈之间；以及第四继电器，其与所述第一二极管串联连接。