[发明专利]镁二次电池用负极及其制造方法以及镁二次电池有效
申请号: | 201780025571.2 | 申请日: | 2017-02-03 |
公开(公告)号: | CN109075326B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 熊谷洁;中山有理;洼田忠彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01M4/1395 | 分类号: | H01M4/1395;H01M4/134;H01M4/46;H01M4/66;H01M10/054;H01M12/08 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 玉昌峰;纪秀凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种镁二次电池用负极的制造方法,包括:准备集电体(25A),该集电体(25A)的表面形成有包含电离倾向大于镁的金属的基底层(25C),以基底层(25C)为原材料,通过化学镀法,在集电体(25A)上形成由镁层(25B)构成的负极活性物质层。 | ||
搜索关键词: | 二次 电池 负极 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
1.一种镁二次电池用负极的制造方法,其特征在于,包括:准备集电体,所述集电体的表面形成有包含电离倾向大于镁的金属的基底层;以及以基底层为原材料,通过化学镀方法,在集电体上形成由镁层构成的负极活性物质层。
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