[发明专利]接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780025733.2 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN109070206B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 川名祐贵;中子伟夫;石川大;须镰千绘;蔵渊和彦;江尻芳则 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;B22F7/08;B22F9/00;H01L21/52 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的接合用铜糊料是含有铜粒子、含铜以外的金属元素的第二粒子以及分散介质的接合用铜糊料，铜粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以铜粒子及第二粒子的质量的合计为基准，为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量的合计为基准，为30质量％以上且90质量％以下，第二粒子的含量以铜粒子及第二粒子的质量的合计为基准，为0.01质量％以上且10质量％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 糊料 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种接合用铜糊料，其是含有铜粒子、含铜以外的金属元素的第二粒子以及分散介质的接合用铜糊料，其中，所述铜粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，所述亚微米铜粒子的含量及所述微米铜粒子的含量之和以所述铜粒子及所述第二粒子的质量的合计为基准，为80质量％以上，所述亚微米铜粒子的含量以所述亚微米铜粒子的质量及所述微米铜粒子的质量的合计为基准，为30质量％以上且90质量％以下，所述第二粒子的含量以所述铜粒子及所述第二粒子的质量的合计为基准，为0.01质量％以上且10质量％以下。
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