[发明专利]化合物半导体及其用途

摘要

本发明涉及新的化合物半导体及其用途，其中所述新的化合物半导体包含：Co‑Sb方钴矿化合物；包含在所述Co‑Sb方钴矿化合物的内部空隙中的Sn和S；和取代所述Co‑Sb方钴矿化合物的Sb的Q，以及所述新的化合物半导体表示为[化学式1]SnxSyCo4Sb12‑zQz(其中在化学式1中，Q为选自O、Se和Te中的一种或更多种，0x0.2，0y≤1以及0z12)，并且可以用于太阳能电池或热电材料等。

主权项

1.一种由以下化学式1表示的化合物半导体，包含：Co‑Sb方钴矿化合物；包含在所述Co‑Sb方钴矿化合物的内部空隙中的Sn和S；和取代所述Co‑Sb方钴矿化合物的Sb的Q：[化学式1]SnxSyCo4Sb12‑zQz其中在化学式1中，Q为选自O、Se和Te中的至少一种，其中0

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