[发明专利]沟槽MOS型肖特基二极管

摘要

提供高耐压且低损耗的沟槽MOS型肖特基二极管。作为一个实施方式，提供沟槽MOS型肖特基二极管(1)，其具有：包括Ga2O3系单晶的第1半导体层(10)；包括Ga2O3系单晶的第2半导体层(11)，其是层叠于第1半导体层(10)的层，具有在面(17)上开口的沟槽(12)；阳极电极(13)，其形成在面(17)上；阴极电极(14)，其形成在第1半导体层(10)的与第2半导体层(11)相反的一侧的面上；绝缘膜(15)，其覆盖第2半导体层(11)的沟槽(12)的内表面；以及沟槽MOS栅极(16)，其埋入于第2半导体层(11)的沟槽(12)内从而被绝缘膜(15)覆盖，与阳极电极(13)接触。

主权项

1.一种沟槽MOS型肖特基二极管，其特征在于，具有：包括Ga2O3系单晶的第1半导体层；包括Ga2O3系单晶的第2半导体层，其是层叠于上述第1半导体层的层，具有沟槽，上述沟槽在上述第2半导体层的与上述第1半导体层相反的一侧的面上开口；阳极电极，其形成在上述第2半导体层的与上述第1半导体层相反的一侧的面上；阴极电极，其形成在上述第1半导体层的与上述第2半导体层相反的一侧的面上；绝缘膜，其覆盖上述第2半导体层的上述沟槽的内表面；以及沟槽MOS栅极，其埋入于上述第2半导体层的上述沟槽内从而被上述绝缘膜覆盖，与上述阳极电极接触。