[发明专利]胶体二氧化硅生长抑制剂以及相关的方法和系统

摘要

描述了抑制胶体二氧化硅沉积物在磷酸中处理的表面上生长的技术。在一个实施方案中，所公开的技术包括使用胶体二氧化硅生长抑制剂作为用于氮化硅蚀刻的磷酸溶液中的添加剂。在一些实施方案中，所述添加剂可以具有可以含有强阴离子基团的化学品。提供了这样的方法和装置：其监测在处理期间磷酸溶液中的二氧化硅浓度和/或胶体二氧化硅生长抑制剂浓度，并根据需要调节这些组分的量。提供了用于控制磷酸溶液中待使用的添加剂浓度以及二氧化硅浓度的方法和装置的技术。本文所述的技术提供了相对于二氧化硅的高选择性氮化硅蚀刻，而不使胶体二氧化硅沉积物在暴露的表面上生长。

主权项

1.一种用于微电子基底上的结构的湿法蚀刻的化学组合物，包含：水；磷酸；和胶体二氧化硅生长抑制剂，其中所述微电子基底至少包括第一结构和第二结构，所述化学组合物相对于所述第二结构选择性地蚀刻所述第一结构，而不在所述第一结构或所述第二结构的暴露表面上产生胶体二氧化硅沉积物的生长。