[发明专利]用于电阻式存储器的非对称写入驱动器在审

专利信息
申请号: 201780027044.5 申请日: 2017-04-20
公开(公告)号: CN109074843A 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 刘慧楚;D·H·莫里斯;S·马尼帕储尼;K·瓦德亚纳坦;I·A·杨;T·卡尔尼克 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G11C11/16
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 黄嵩泉;张欣
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了一种装置,该装置包括:选择线;选择晶体管,耦合至电阻式存储器并且耦合至选择线;字线,耦合至选择晶体管的栅极端子;以及电流镜,该电流镜可操作以在第一模式期间耦合至选择线,并且在第二模式期间被解耦。
搜索关键词: 耦合 选择线 电阻式存储器 选择晶体管 电流镜 写入驱动器 栅极端子 非对称 可操作 解耦 字线
【主权项】:
1.一种装置,包括:选择线;选择晶体管,耦合至电阻式存储器元件并且耦合至所述选择线;字线,耦合至所述选择晶体管的栅极端子;以及电流镜,能操作以在第一模式期间耦合至所述选择线,并且在第二模式期间被解耦。
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