[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780027131.0 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109075213B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 田村正树;阿部和;藤井岳志 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在半导体基板(10)的背面(10a)的表面层分别选择性地设置有n |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体层，其具有第一主面和第二主面；第二导电型的第二半导体层，其设置于所述第一半导体层的所述第一主面；第三半导体层，其设置于所述第一半导体层的所述第二主面；多个第一导电型的第一半导体区，设置在所述第一半导体层的内部的不同深度，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高；第一导电型的第二半导体区，其与最靠所述第三半导体层侧的所述第一半导体区接触而构成所述第三半导体层的一部分，且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高；第二导电型的第三半导体区，其与最靠所述第三半导体层侧的所述第一半导体区接触而构成所述第三半导体层的一部分，且在与所述第二主面平行的方向上与所述第二半导体区接触；第一电极，其与所述第二半导体层接触；以及第二电极，其与所述第二半导体区和所述第三半导体区接触，所述第一半导体区的杂质浓度的第一最大值比所述第二半导体区的杂质浓度的第二最大值和所述第三半导体区的杂质浓度的第三最大值低，且所述第一半导体区具有以所述第一最大值为峰，从该峰朝向所述第二半导体层侧和所述第三半导体层侧减小的杂质浓度分布，所述第三半导体区的与所述第一半导体区的界面处的杂质浓度比所述第二半导体区的与所述第一半导体区的界面处的杂质浓度低。
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